Warning: getimagesize(/var/www/www-root/data/www/image_oc3/10/83/1090241883.jpg): failed to open stream: No such file or directory in /var/www/www-root/data/www/tovz_storage/modification/catalog/controller/product/product.php on line 1139Notice: Trying to access array offset on value of type bool in /var/www/www-root/data/www/tovz_storage/modification/catalog/controller/product/product.php on line 1141Notice: Trying to access array offset on value of type bool in /var/www/www-root/data/www/tovz_storage/modification/catalog/controller/product/product.php on line 1142 SAMSUNG Накопитель SSD 4TB NVMe M.2 2280 990 PRO PCIe Gen 4.0 x4, NVMe (MZ-V9P4T0BW)

SAMSUNG Накопитель SSD 4TB NVMe M.2 2280 990 PRO PCIe Gen 4.0 x4, NVMe (MZ-V9P4T0BW)

Все о товаре
Характеристики
Отзывов
0
Вопросы
0
предзаказ
Код Товара: 90241883
Производитель: Samsung
Отзывы: 0
42 170.00р.
Купить в 1 клик:
Характеристики: (Смотреть все)
Емкость
4 ТБ
Контроллер
Samsung
Линейка
990 PRO
Поддержка технологий
NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных, TRIM
Назначение
для настольного компьютера, внешний, для межсетевого экрана, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, SSD диск
Характеристики
Дополнительно
Потребляемая мощность
8.5 Вт
Макс. рабочая температура
70 °C
Дополнительная информация
Ресурс TBW 2400 ТБ
Основные характеристики
Емкость
4 ТБ
Контроллер
Samsung
Линейка
990 PRO
Назначение
для настольного компьютера, внешний, для межсетевого экрана, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, SSD диск
Тип флэш-памяти
TLC
Форм-фактор
M.2 2280
Версия
Global
Бренд
Samsung
Подключение
Стандарт SSD
M.2
Макс. скорость интерфейса
8000 МБ/с
Тип разъема M.2
M, 2280
Тип PCI-E
PCI-E 4.0 x4
Интерфейсы
PCIe 4.0 x4, PCI-E, PCI-E 4.0 x4, PCI-E 4.0, PCIe 4.0
Функции
Поддержка технологий
NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных, TRIM
Параметры накопителя
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
80000 IOPS
Объем буфера
4096 МБ
Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Время наработки на отказ
1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
2400 ТБ
Отзывы
0 / 5
средний рейтинг товара
0
0
0
0
0

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

SAMSUNG Накопитель SSD 4TB NVMe M.2 2280 990 PRO PCIe Gen 4.0 x4, NVMe (MZ-V9P4T0BW)
42 170.00р.